真空鍍膜機設(shè)備真空鍍膜機系統(tǒng)組成
真空鍍膜機等離子體束濺射鍍膜機主要由射頻等離子體源、真空獲得系統(tǒng)、電磁線圈（發(fā)射線圈及匯聚線圈）、偏壓電源、真空室（包括靶材及基片等）、真空控制系統(tǒng)等部分構(gòu)成。其顯著特點是它的等離子體發(fā)生控制系統(tǒng)，其示意圖如圖1 所示。等離子體發(fā)生控制系統(tǒng)是鍍膜機中的關(guān)鍵部分，其中射頻等離子體源位于真空室的側(cè)面，并在等離子體源的出口處及濺射靶材的下方分別配置有一個電磁線圈。當兩個線圈同向通過電流時，線圈合成的磁場將引導等離子體源中產(chǎn)生的電子沿磁場方向運動，從而使等離子體束被約束在磁場方向上。同時靶材加有負偏壓，使濺射離子在電場的作用下加速撞擊靶表面，產(chǎn)生濺射作用。
真空鍍膜機等離子體發(fā)生控制系統(tǒng)
真空鍍膜機這種鍍膜機具有非常靈活的控制方式，例如濺射速率可以通過調(diào)節(jié)靶材偏壓和改變等離子體源的射頻功率這兩種途徑進行調(diào)節(jié)。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計是實現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種參數(shù)闊范圍的可控性使得特定的應(yīng)用能夠獲得最優(yōu)化的工藝參數(shù)。此外，還可以通過控制系統(tǒng)的真空度來進行濺射速率的調(diào)節(jié)。
真空鍍膜機中所示曲線為靶電流與偏壓曲線、恒定電流密度時濺射速率與靶偏壓的關(guān)系，其中恒定電流時射頻功率為500W。
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